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Intel, Samsung, TSMC y otros están sentando las bases para la transición de los transistores finFET (field-effect transistors) actuales a los nuevos transistores de efecto de campo de puerta completa (GAA FET) en los nodos de 3 nm y 2 nm, a partir del próximo año o en 2023. GAA FET cumplen la promesa de un mejor rendimiento, menor potencia y menores fugas, y se necesitarán por debajo de 3 nm, cuando los finFET se agoten. Pero a pesar de que estos transistores de última generación se consideran un paso evolutivo de los finFET, y han estado en I + D durante años
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